Da Toshiba le nuove Memorie e•MMC e UFS

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I controllori rinnovati offrono migliori prestazioni, incrementando le velocità di lettura e di scrittura nelle memorie Flash NAND embedded con capacità fino a 128GB






Le memorie flash NAND embedded e•MMC e UFS di Toshiba Electronics usano tecnologie di controllore integrate e migliorate per offrire aumenti significativi di prestazioni in applicazioni esigenti.

Al contrario delle soluzioni di memoria flash NAND “grezze”, i dispositivi e•MMC (Embedded Multimedia Card) e UFS (Universal Flash Storage) combinano la memoria flash e il controllore corrispondente in un singolo package. Questo riduce l’occupazione di spazio e solleva il processore host dal carico delle funzioni principali di gestione della memoria, che includono la gestione dei blocchi guasti, la correzione degli errori, il livellamento dell’usura e le operazioni di garbage collection. Di conseguenza, i dispositivi e•MMC ed UFS sono più semplici da integrare all’interno dei progetti di sistemi rispetto agli IC di memoria stand alone dotati di un’interfaccia Flash NAND standard.

Le nuove memorie ‘Supreme+’ e•MMC (JEDEC ver. 5.1) sono disponibili con capacità comprese fra 16GB e 128GB e sono basate sulla tecnologia flash NAND MLC da 15 nm. Le velocità di lettura e di scrittura sequenziale di 320MB/s e 180MB/s sono superiori di circa il 2% e il 20% rispetto alle velocità di lettura e di scrittura dei dispositivi precedenti di Toshiba. Inoltre, le velocità di lettura e di scrittura casuale sono migliori di circa il 100% e il 140% rispetto ai dispositivi precedenti.

Mentre un dispositivo e•MMC raggiunge un limite teorico di 400MB/s con un’interfaccia parallela a 8 bit, una memoria UFS estende le prestazioni dell’interfaccia grazie alla trasmissione dei segnali differenziali ad alta velocità, usando l’interfaccia MIPI M-PHY. Ciò si traduce in prestazioni teoriche da 1166MB/s, con il supporto all’interfaccia MIPI M-PHY HS-G3 a due canali.

I nuovi dispositivi UFS (JEDEC ver 2.1) sono inoltre basati sulla tecnologia Flash NAND MLC da 15 nm e possono essere forniti in tagli con capacità che vanno da 32 GB fino a 128 GB. Rispetto ai dispositivi precedenti, le velocità di lettura e di scrittura sequenziale di 850MB/s e di 180MB/s corrispondono a miglioramenti di circa il 40% e 16%. In più, le prestazioni in lettura e scrittura casuale sono migliori di circa il 120% e 80% rispettivamente.

Toshiba produce sia la memoria flash, sia la tecnologia di controllore adottata in questi dispositivi di memoria e•MMC ed UFS. La società ha anche sviluppato internamente l’unità analogica M-PHY 3.0 e il core digitale UniPro 1.6, i quali sono integrati con un nuovo controllore UFS. Di conseguenza, il controllore corrisponde strettamente ai requisiti di gestione della memoria flash di riferimento, il che assicura prestazioni ottimizzate del dispositivo.