A quasi dieci anni dalla sua introduzione nel mercato, la memoria flash 3D riceve ancora prestigiosi riconoscimenti per il contributo che porta al settore tecnologico odierno.
KIOXIA, l’inventore della memoria flash NAND, ha ricevuto il premio FMS: the Future of Memory and Storage Lifetime Achievement Award per il 2024. Il team di ingegneri di KIOXIA, composto da Hideaki Aochi, Ryota Katsumata, Masaru Kito, Masaru Kido e Hiroyasu Tanaka, ritirerà questo prestigioso premio per il suo pionieristico lavoro di sviluppo e commercializzazione della memoria flash 3D. Questa tecnologia rivoluzionaria è diventata indispensabile per un’ampia gamma di applicazioni informatiche, tra cui smartphone di ultima generazione, PC, SSD, data center, IA e industria.
La storia e le caratteristiche della pioneristica invenzione di KIOXIA
KIOXIA ha presentato per la prima volta il concept della tecnologia di memoria flash 3D BiCS FLASH al VLSI Symposium del 2007. Dopo aver annunciato il prototipo, KIOXIA ha proseguito nello sviluppo al fine di ottimizzare tale tecnologia per la produzione di massa, introducendo infine la prima memoria flash 3D a 48 strati da 256 gigabit (Gb) al mondo nel 2015.
Con una struttura impilata in 3D che aumenta la capacità e le prestazioni, la memoria flash 3D BiCS FLASH ha rappresentato un vero e proprio elemento di trasformazione nel settore dell’archiviazione. Questa tecnologia ha permesso di realizzare soluzioni di storage a più alta densità pur mantenendo affidabilità ed efficienza, migliorando in modo significativo le capacità di data center, elettronica di consumo e dispositivi mobili, e stabilendo un nuovo standard per la tecnologia delle memorie flash. Sfruttando l’impilamento verticale, la tecnologia BiCS FLASH di KIOXIA ha superato le limitazioni della NAND flash planare, aprendo la strada ai futuri sviluppi delle soluzioni di archiviazione della memoria e rafforzando il ruolo di KIOXIA Corporation come leader del settore.
I premi
Questa tecnologia di memoria flash 3D di KIOXIA è stata inoltre premiata con l’Imperial Invention Prize dal National Commendation for Invention 2020 in Giappone, ha ricevuto l’Award for Science and Technology nel 2023 dal The Commendation for Science and Technology del Ministero dell’Istruzione, della Cultura, dello Sport, della Scienza e della Tecnologia giapponese e l’IEEE Andrew S. Grove Award nel 2021.
Dichiarazioni
“La memoria flash 3D di KIOXIA ha rivoluzionato l’archiviazione dei dati, portandola da un semplice avanzamento delle tecnologie esistenti a una soluzione innovativa che soddisfa le esigenze dell’informatica moderna“, ha dichiarato Chuck Sobey, Presidente Generale di FMS. “Siamo lieti di poter valorizzare questo importante contributo e siamo ansiosi di vedere cosa ci riserverà il futuro“.
“L’innovazione tecnica di KIOXIA nel campo delle memorie flash 3D non può essere sopravvalutata“, ha dichiarato Atsushi Inoue, Vicepresidente e Responsabile Tecnologico della Memory Division di KIOXIA Corporation. “La nostra tecnologia ha creato un nuovo paradigma nel settore, consentendo alle memorie flash di aumentare notevolmente la densità di archiviazione per cella, die e package. Sono entusiasta di vedere riconosciuti i nostri risultati e sono ansioso di assistere all’evoluzione del loro impatto negli anni a venire“.
“I miei colleghi ingegneri di KIOXIA sono una fonte di ispirazione non solo per i loro traguardi tecnologici, ma anche per il loro impegno a far progredire il settore attraverso l’innovazione continua e il sostegno ai ricercatori che li circondano“, ha dichiarato Ryota Katsumata, senior fellow dell’Advanced Memory Development Center di KIOXIA Corporation. “Il nostro contributo non solo ha avuto un impatto dirompente, ma ha anche stimolato uno spirito di innovazione e collaborazione all’interno di tutta la comunità. È meraviglioso vedere riconosciute tali leadership e visione“.
