Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) lancia MB85RC1MT, una FRAM da 1 Mbit dotata di interfaccia I²C.
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) è un tipo di memoria che combina l’assenza di volatilità con l’accesso casuale. Se la prima caratteristica permette di conservare i dati anche in mancanza di alimentazione, l’accesso casuale si traduce in cicli di scrittura veloci senza i ritardi tipici delle memorie non volatili. La memoria FRAM inoltre, dispone di un’elevata durabilità ed è capace di raggiungere 10 trilioni di cicli di lettura/scrittura, superando in questo modo le memorie non volatili convenzionali di un fattore di 10 milioni.
La nuova memoria MB85RC1MT funziona con tensioni comprese tra 1,8 V e 3,3 V, e a temperature comprese tra -40 °C e 85°C. L’alimentazione attiva del dispositivo assorbe un massimo di 1,2 mA (a 3,4 Mhz). Prendendo in considerazione il ciclo di scrittura estremamente breve della FRAM, il sistema è notevolmente più efficiente in termini di consumi rispetto alle EEPROM.
La memoria MB85RC1MT supporta anche una modalità “high-speed” alla sua frequenza operativa, permettendo di effettuare operazioni di lettura/scrittura a 3,4 MHz parallelamente al funzionamento a 1 MHz, la stessa velocità delle EEPROM convenzionali. Di conseguenza, molte applicazioni di logging che utilizzano un’interfaccia I²C possono ora sostituire le loro EEPROM con questa nuova FRAM. La soluzione permette, inoltre, di acquisire dati ad alta precisione con una registrazione ad alta frequenza riducendo nel contempo i consumi dei cicli di scrittura.
