KIOXIA e Western Digital, come sappiamo, hanno dato nuovo impulso alla collaborazione e il primo frutto di tutto ciò è la loro nuova tecnologia per memorie flash 3D. Applicando tecnologie avanzate di scalabilità e di collegamento su wafer, la memoria flash 3D offre capacità, prestazioni e affidabilità eccezionali a un prezzo interessante, il che la rende ideale per soddisfare le esigenze di crescita esponenziale dei dati in una vasta gamma di segmenti di mercato.
“La nuova memoria flash 3D dimostra i vantaggi della nostra solida collaborazione con KIOXIA e della nostra leadership combinata nell’innovazione”, ha dichiarato Alper Ilkbahar, Senior Vice President of Technology & Strategy di Western Digital.
“Lavorando con un’unica tabella di marcia comune per il settore R&S e continuando a investire in R&S, siamo stati in grado di produrre questa tecnologia fondamentale in anticipo e di fornire soluzioni ad alte prestazioni ed efficienti sotto il profilo del capitale.”
KIOXIA e Western Digital hanno ridotto i costi introducendo diversi processi e architetture unici, per consentire continui progressi di scalabilità laterale. Questo equilibrio tra scalabilità verticale e scalabilità laterale produce una maggiore capacità in un die più piccolo con meno layer a un costo ottimizzato. Le aziende hanno inoltre sviluppato la rivoluzionaria tecnologia CBA (CMOS directly Bonded to Array), in cui ogni wafer CMOS e wafer di array di celle viene prodotto separatamente in condizioni ottimizzate e quindi viene unito insieme per offrire una densità di bit migliorata e una velocità di I/O NAND elevata.
“Attraverso la nostra unica collaborazione ingegneristica, abbiamo lanciato con successo la BiCS FLASHTM di ottava generazione con la densità di bit più alta del settore”, ha dichiarato Masaki Momodomi, Chief Technology Officer di KIOXIA Corporation. “Sono lieto che siano iniziate le spedizioni di campioni di KIOXIA per clienti limitati. Applicando la tecnologia CBA e le innovazioni di scalabilità, abbiamo portato a un livello più avanzato il nostro portafoglio di tecnologie di memoria flash 3D per l’utilizzo in una serie di applicazioni incentrate sui dati, tra cui smartphone, dispositivi IoT e data center.”
La memoria flash 3D a 218 strati sfrutta 1Tb di celle a tre livelli (TLC) e a quattro livelli (QLC) con quattro piani e presenta un’innovativa tecnologia di contrazione laterale per aumentare la densità di bit di oltre il 50%. Il suo I/O NAND ad alta velocità a oltre 3,2 Gb/s, un miglioramento del 60% rispetto alla generazione precedente, combinato con un miglioramento del 20% delle prestazioni di scrittura e della latenza di lettura, accelererà le prestazioni complessive e l’usabilità per gli utenti.
